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NEO Semiconductor于4月23日宣布，其3D X-DRAM技术已成功通过概念验证（POC），证明利用现有的3D NAND基础设施可以制造出种新型密度DRAM。该公司同时宣布了项由宏碁创始人兼前董事长兼席执行官、曾任台积电董事二十余年的施振荣投的新战略投资。
此次发布的核心是该公司的3D X-DRAM 技术，这是种新型DRAM，旨在通过采用垂直堆叠架构来突破传统内存扩展的限制，从而实现的密度、低的功耗以及对 AI 驱动型工作负载的适用。
NEO的3D X-DRAM架构大量借鉴了3D NAND制造技术。据该公司称，概念验证芯片采用成熟的3D NAND工艺制造，包括现有设备和材料。这点至关重要，因为存储器开发的主要制约因素之并非设计创新，而是制造成本和工艺兼容。
由台湾应用技术研究院-台湾半体研究院（NIAR-TSRI）与国立阳明交通大学作制造和测试的概念验证芯片，取得了以下结果：
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读写延迟：低于10纳秒；
数据保持：在85°C/185°F下过1秒 （据称比JEDEC标准提升15倍）；
位线干扰：在85°C (185°F)下过1秒；
字线干扰：在85°C下过1秒；
耐久：大于10¹⁴次循环。
NEO Semiconductor创始人兼席执行官Andy Hsu表示：“这些结果验证了DRAM的全新扩展路径。我们相信，这项技术能够显著提密度、降低成本并提升能，从而为人工智能时代带来变革。通过利用成熟的3D NAND制造工艺和生态系统，我们旨在快地将3D DRAM向市场。NEO正积与全球先的存储器和半体公司探讨潜在的作开发机会，我们相信我们的技术非常适采用可扩展的许可和作模式，从而将下代人工智能存储器解决案向市场。”
公告中包含的行业评论相当积——尽管这并不意味着大规模应用已成定局。TechInsights 的 Jeongdong Choe 将这结果描述为向 3D 内存架构转型过程中的个“重要里程碑”，并指出传统 DRAM 的扩展已接近物理限，业界正在积探索垂直扩展案。
这发展背后的广泛背景是人工智能工作负载对内存系统日益增长的压力。尽管过去十年GPU的计能得到了飞速提升，但内存带宽——即数据输入处理器的速率——已成为大规模人工智能训练和理系统的个限制因素。这已经动了带宽内存（HBM）的广泛应用，HBM是种垂直堆叠的DRAM架构，集成在GPU附近。然而，HBM对3D堆叠和键提出了复杂的要求，并且制造成本昂。
3D X-DRAM 和 HBM 都采用了垂直堆叠的概念，但它们堆叠的式不同。HBM 将多个成品 DRAM 芯片堆叠在起，然后通过硅通孔 (TSV) 连接，PVC管道管件粘结胶并将它们放置在 GPU 或 CPU 旁边/附近的中介层上。根据 NEO 的说法，3D X-DRAM 旨在构建类似 3D NAND 的单片垂直存储单元，其中各层是作为存储阵列本身的部分制造的，而不是堆叠单的封装 DRAM 芯片。
3D X-DRAM只是众多旨在解决人工智能内存问题的在研技术之。就在NEO Semiconductor发布公告的前天，我们报道了SAIMEMORY及其ZAM架构，在软银、英特尔和日本政府的支持下，正沿着条平行线朝着类似目标迈进。
NEO Semiconductor 的器件成功通过了的电气和可靠评估，证实了所提出的存储架构的稳健和稳定。需要重申的是，这只是个概念验证，并非可量产的存储芯片。从经过验证的概念验证到商业化量产，道路漫长，沿途遍布着许多曾经充满希望却终未能走出实验室的存储技术。然而，凭借 NEO Semiconductor 采用的成熟 3D NAND 工艺，未来前景光明。
“此次概念验证的成功不仅展现了创新型存储器架构的潜力，也证实了利用成熟工艺实现存储器技术的可行。NEO、纽约大学信息与安全研究所 (IAIS) 和台积电国应用研究中心 (NIAR-TSRI) 之间的此次作，进步凸显了产学研作在加速创新从概念到实际应用转化面的价值。”纽约大学校长兼信息与安全研究所院长、台积电前席技术官孙杰表示。
（来源：编译自tomshardware）
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